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IBM 相变内存研究突破,每单位现在可存储三位元信息

时间:2016-05-19 20:31来源:未知 作者:Linux先生 举报 点击:
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相变内存(Phase Change Memory,PCM)是诸多号称能「改变未来」的新内存技术之一,拥有接近 DRAM 的速度、远超过快闪内存的使用寿命,以及不供电也能保存资料的特性。在某些方面来说,它和忆阻体有点像,都是利用物质的电阻高低值来存储信息,只是真正的 忆阻体是用电压来控制物质的电阻,而相变内存用的却是温度。相变内存使用的物质一般是一种或多种硫族化物的玻璃(Chalcogenide Glass),它们在加热冷却后,可以形成高电阻的晶体,或是低电阻的非晶体状态,或是两种状态间的任意比例组合。

过去 IBM 已经成功地实作出一个晶体单位存储一个位元(两种状态择一)的相变化内存样本,这次的突破主要是在于对晶体状态更细致的辨识能力,让每个晶体单位可以可靠 地量测出八种不同的状态,记录三位元的信息。三位元是个重要的里程碑,因为如此一来它在成本上就明显对 DRAM 有优势,甚至逼近了快闪内存。只是像所有这类的研究一般,每次都只闻楼梯响,究竟要什么时候才能看到产品面世呢?

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